Характеристики транзистора S8050

Согласно техническим характеристикам s8050 обладает превосходными параметрами для создания аудиоусилителя класса B. Несмотря на небольшие габариты, такие транзисторы способны выдерживать ток межу выводами коллектор-эмиттер до 500 мА и напряжение до 40 В. До настоящего времени его можно встретить во многих приложениях общего назначения.

Маркировка

Рассматриваемый транзистор в корпусе ТО-92 имеет на цифробуквенное обозначение. Как правило, в начале маркировки присутствует только одна буква «S». Вместе с тем, иногда встречаются устройства с двумя префиксом «SS». По параметрам они ничем не отличаются между собой.

Маркировка рассматриваемого транзистора может содержать в начале одну или две буквы «S». SMD-устройства (в корпусе SOT-23) чаще всего имеют на корпусе символы «J3Y».

Цоколевка

Согласно цоколевке полупроводниковый триод s8050 в корпусе ТО-92 имеет три гибких металлических вывода. Указанные контакты, если смотреть на маркировку пластиковой упаковки с лицевой стороны, имеют назначение (слева на право):  эмиттер, база, коллектор.  Подробная информация по распиновке показана на изображении.

При изучении распиновки желательно обращать внимание на фирму-изготовителя. Дело в том, что у некоторых производителей данного транзистора кремниевая структура преимущественно NPN, однако встречаются устройства PNP (например, у китайской Wing Shing Computer Components).

В datasheet у многих производителей дополнительно указываются физические свойства изделия. Представляется информация о наличии луженных металлических выводов, протестированных при производстве с применением метода 208 и удовлетворяющих требованиям стандарта MIL-STD-202. Корпус изделия имеет устойчивое к воспламенению покрытие в соответствии с рейтингом 94 V-0. Вес обычно не превышает 0.008 г.

Абсолютные транзисторы S8050

  • ток коллектора (постоянны) (IК) до 500 мА;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе (PК) до 1 Вт;
  • напряжение коллектор-база (VКБmax) до 40 В;
  • напряжение коллектор-эмиттер (VКЭmax) до 25 В;
  • напряжение эмиттер-база (VКЭmax) до 6 В;
  • максимальная температура кристалла (TК) до +150 oC;
  • интервал рабочих температур (Tamb) от -65 до +150 oC;
  • интервал при хранении (Tstg) от -65 до +150 oC.

Показанные значения являются предельно возможными. Не стоит превышать их, иначе устройство может перегреться и выйдет из строя. Несмотря на то, что у некоторых производителей ток коллектора (IК), согласно datasheet, достигает 700 и более (до 1.5 А), на практике его величина не должна превышать 500 мА.

Аналоги и варианты замены

Подобрать аналог вышедшему из строя S8050 можно из следующих транзисторов:  MPS8050S, MPS650, MPS650G. В некоторых случаях его можно заменить на: ZTX457, BC538, BC537, C1008, C1009. Если габариты не важны, то можно рекомендовать устройство с очень похожими параметрами, но в другом корпусе — S9013.

В неторных схемах для замены S8050 можно использовать близкие по параметрам транзисторы отечественного производства. К таким устройствам можно отнести: КТ645, КТ3117, КТ3102, КТ815, КТ817 и даже старенький КТ315.

Производители и их datasheet

Основными производителями рассмотренного устройства в настоящее время являются в основном компании китайского происхождения. Их datasheet можно скачать по ссылкам: Weitron technology co.; Unisonic Technologies Company; Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co.; Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited; Daya Electric Group Co.; SeCoS Halbleitertechnologie GmbH. На русском языке информацию возможно загрузить от сюда.

Оцените статью
Справочник микроэлектроники
Добавить комментарий