Характеристики транзистора 13009

В данной статье приведены технические особенности транзистора 13009, рассмотрены его отдельные характеристики, а также варианты возможной замены. Основной задачей рассматриваемого устройства является работа в высокоскоростных, мощных импульсных схемах, функционирующих преимущественно с индуктивной нагрузкой. Особенно часто применяется там, где важны небольшое время спада и быстрые переключения.

Маркировка

Полное наименование рассматриваемого устройства содержит в обозначении не только цифры «13009», но и буквы. Иногда в маркировке на корпусе присутствуют символы «MJE», указывающие на главного разработчика транзистора – компанию Motorola. Но бывают и другие префиксы, например «PHE», «J», «E» и др.

В настоящее время большая часть подобных транзисторов выпускается другими производителями, не имеющими никакого отношения к компанию Motorola. Поэтому в маркировке можно увидеть только цифры, а буквы вовсе не указываются.

Распиновка

Для определения распиновки 13009 необходимо расположить устройство таким образом, чтобы читалась его маркировка. Металлические контакты, при этом, должны находиться в нижней части. В указанном случае средний вывод является коллектором (К), слева будет находиться база (Б), а оставшийся — эмиттер (Э).

Внешний вид и распиновка 13009

Изделие выпускается в пластиковой упаковке с металлической подложкой ТО-220. В настоящий период рассматриваемый транзистор довольно часто встречается и других виды корпуса: TO-225, TO-247, TO-3PN, и др. У всех типов изделия вывод коллектора соединен с подложкой.

 Максимальные характеристики 13009

  • постоянный ток коллектора (IС) до 12 А;
  • пиковый ток коллектора (IСM) до 25 В;
  • постоянный ток базы (IEM) до 6 А;
  • пиковый ток базы (IEB) до 12 А;
  • постоянный ток эмиттера (IEM) до 18 А;
  • пиковый ток эмиттера (IE) до 25 В;
  • напряжение коллектор-база (VCB) до 700 В;
  • напряжение коллектор-эмиттер (VCE) до 400 В;
  • напряжение эмиттер-база (VEB) до 9 В;
  • рассеиваемая мощность (PC) до 100 Вт;
  • температура хранения (TSTG)  — 65 … + 150 oC;
  • температура кристалла  (TJ) — 65 … + 150 oC.

Производители не рекомендуют превышать представленные выше значения абсолютных характеристик. Постоянная работа устройства в максимальных режимах приводит к деградации его внутренней кремниевой структуры, а в конечном итоге выходу из строя. Для продления жизненного цикла изделия при эксплуатации желательно придерживаться двадцати-тридцатипроцентного запаса по по всем параметрам от предельно возможных величин.

Аналоги и варианты замены

Рассмотрим варианты замены, в случае выхода  из строя 13009 и возможные аналоги. В большинстве случаев поменять его возможно на очень похожие по электрическим свойствам: C2335, BUJ106A или BUT12A. У российских производителей можно подобрать альтернативу среди следующих полупроводниковых триодов: КТ-8138И, КТ-8209А, КТ-8260А

Менее мощными транзисторами с почти аналогичными свойствами являются: 13005, 13008, 13007. В любом случае, перед заменой следует дополнительно изучить с их техническое описание (datasheet).

Производители и datasheet

Сейчас оригинальную версию 13009 найти довольно затруднительно. Motorola передала функцию его производства своему дочернему предприятию ON Semiconductor. Вместе с тем, похожую продукцию на российском и зарубежном радиорынке можно увидеть у следующих компаний: ST Microelectronics, Tiger Electronics, MOSPEC, SavantIC, Unisonic Technologies, Shenzhen SI Semiconductors и др. Загрузить из datasheet (в том числе на русском языке) возможно по соответствующей ссылке с именем фирмы-изготовителя.

Оцените статью
Справочник микроэлектроники
Добавить комментарий